1960-70 के दशक में जांच किए गए कार्बनिक क्रिस्टल के विपरीत, आजकल ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में सक्रिय मीडिया के रूप में उपयोग किए जाने वाले कार्बनिक अर्धचालक आमतौर पर कम या ज्यादा अव्यवस्थित होते हैं। इस तथ्य के साथ मिलकर कि संरचनात्मक भवन ब्लॉकों को तुलनात्मक रूप से कमजोर वैन डेर वाल्स बलों द्वारा एक साथ रखा जाता है, यह डेलोकलाइज़्ड वैलेंस और कंडक्शन बैंड में चार्ज ट्रांसपोर्ट को रोकता है। इसके बजाय, चार्ज वाहक आणविक संस्थाओं पर स्थानीयकृत होते हैं, जैसे ओलिगोमर्स या संयुग्मित बहुलक श्रृंखला के खंड और सांख्यिकीय रूप से परिवर्तनशील ऊर्जा वाले आसन्न साइटों के बीच असंगत होपिंग द्वारा चलते हैं। प्राय: स्थल ऊर्जाओं में गाऊसी वितरण होता है। इसके अलावा hopping दूरियां सांख्यिकीय रूप से भिन्न हो सकती हैं (स्थितीय विकार)। राज्यों (डीओएस) वितरण के घनत्व के ऊर्जावान विस्तार का एक परिणाम यह है कि आवेश गति तापमान और क्षेत्र दोनों पर निर्भर है और आवेश वाहक गतिशीलता एक समतुल्य क्रिस्टलीय प्रणाली की तुलना में कम परिमाण के कई आदेश हो सकते हैं। आवेश वाहक गति पर यह विकार प्रभाव कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में कम हो जाता है क्योंकि वर्तमान प्रवाह एक पतली परत में सीमित होता है। इसलिए, DOS वितरण के टेल स्टेट्स पहले से ही भरे हुए हैं ताकिचार्ज कैरियर होपिंग के लिए सक्रियण ऊर्जा कम हो जाती है। इस कारण से FET प्रयोगों से अनुमानित चार्ज वाहक गतिशीलता हमेशा TOF प्रयोगों से निर्धारित की तुलना में अधिक होती है। [28]
कार्बनिक अर्धचालकों में वाहक जोड़े को कंपन मोड में चार्ज करते हैं और उन्हें पोलरॉन कहा जाता है। इसलिए, आणविक इकाई को चार्ज करने पर संरचनात्मक साइट छूट के कारण होपिंग गति के लिए सक्रियण ऊर्जा में एक अतिरिक्त शब्द होता है। हालांकि, यह पता चला है कि आमतौर पर गतिशीलता की तापमान निर्भरता में विकार का योगदान ध्रुवीय योगदान पर हावी होता है। [29]
यह भी देखें [ संपादित करें ]
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